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AP180N08T
1个N沟道 耐压:85V 电流:180A
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP180N08T
- 商品编号
- C3011352
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 284W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.813uF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 48nF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
APG130N06D采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性，适用于
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性，适用于逆变器
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流电源-同步整流应用