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AP8N10MI
1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 品牌名称APM(永源微电子)
商品型号
AP8N10MI商品编号
C3011360商品封装
SOT-23-3L包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,5A | |
| 功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.85V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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