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AP8N10MI
100V,电流:8A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8N10MI
- 商品编号
- C3011360
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.9nC@50V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP8N10MI采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 100V
- I D = 8A
- R D S (O N) < 100mΩ @ V G S = 10V(典型值:80mΩ)
应用领域
- 汽车照明
- 负载开关
- 供电设备(PSE)