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AP3N10BI
100V N沟道增强型MOSFET,电流:2.8A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP3N10BI
- 商品编号
- C3011353
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 508pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP80N07P/T采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并具备高EAS性能。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 2.8A
- RDS(ON) < 320 mΩ(VGS = 10 V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源