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AP5N10BSI
100V, 5A, 100V N沟道 Enhancement Mode MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP5N10BSI
- 商品编号
- C3011356
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 206.1pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP180N08P/T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至10V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 5A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 140 mΩ(典型值:110 mΩ)
应用领域
- LED照明
- 负载开关
- 雾化器