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AP3416AI
N沟道,电流:6.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP3416AI
- 商品编号
- C3011244
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 780pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP3416AI采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 6.8A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 22 mΩ(典型值:15 mΩ)
- 静电放电(ESD)≥ 2500 HBM
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充