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AP2302BI
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻，低栅极电荷，可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP2302BI
- 商品编号
- C3011238
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP15N10S采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V
- 漏极电流ID = 15A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 8.0 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源