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AP2302CI
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP2302CI
- 商品编号
- C3011237
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
- 表面贴装，提供卷带包装，具备动态dv/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单