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WSD2018DN22
1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- N沟道.20V.12A.10mΩ
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD2018DN22
- 商品编号
- C377866
- 商品封装
- PDFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSD2018DN22是一款高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD2018DN22符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步开关,适用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、视频图形阵列(VGA)的小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关