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WSD2050DN33
1个N沟道 耐压:20V 电流:40A
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- 描述
- WsD2050DN33是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD2050DN33符合RoHS和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证通过静电放电测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD2050DN33
- 商品编号
- C377874
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
SOT23-6 塑封封装 N 沟道双 MOS 管。
商品特性
- 采用先进的沟槽技术，提供较小的导通电阻 RDS(on)，低栅极电荷，栅极工作电压低至 2.5V。
- 采用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷，可在低至 2.5V 的栅极电压下工作。
应用领域
- 适用于电池保护电路、开关电路。
- 用作电池保护、开关应用。