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STGB6NC60HDT4
N沟道600 V、7 A超快速IGBT
- 描述
- 采用基于专利条形布局的最新高压技术，PowerMESH IGBT 是先进的 IGBT 系列，具有卓越的性能。后缀 “H” 表示该系列针对高频应用进行了优化，在保持低电压降的同时，实现了非常高的开关性能（缩短了下降时间 tfall）。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB6NC60HDT4
- 商品编号
- C377934
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 输出电容(Coes) | 32pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@3A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.75V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 205pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 76ns | |
| 导通损耗(Eon) | 20uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 68uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 21ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 5.5pF |
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