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STGB3NC120HDT4
7 A、1200 V超快恢复二极管型高速IGBT
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- 描述
- 这款高压、超快速绝缘栅双极晶体管（IGBT）在低传导损耗和快速开关性能之间实现了出色的平衡。它采用 PowerMESH™ 技术设计，并结合了高压超快二极管。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB3NC120HDT4
- 商品编号
- C377954
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 14A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输出电容(Coes) | 45pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 12A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.8V@3A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 118ns | |
| 导通损耗(Eon) | 236uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 290uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 51ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 6pF |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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