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STGF20M65DF2
采用沟槽栅场截止结构的低损耗IGBT，具备高短路耐受时间、参数分布紧密、热阻低等特性，适用于电机控制等领域
- 描述
- 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGF20M65DF2
- 商品编号
- C377960
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 32.6W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.688nF | |
| 输出电容(Coes) | 95pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 108ns | |
| 导通损耗(Eon) | 140uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 560uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 166ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |