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WSD3045DN33
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- WsD3045DN33是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD3045DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面的功能可靠性认证，100%保证通过静电放电（ESD）测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD3045DN33
- 商品编号
- C377868
- 商品封装
- DFN-8(3.2x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
WSD3045DN33是高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 WSD3045DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 同步整流-电机控制-大电流、高速开关-便携式设备应用