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WSD3030DN33
1个N沟道 耐压:30V 电流:34A
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- 描述
- WsD3030DN33是一款高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD3030DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证符合EAS标准。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD3030DN33
- 商品编号
- C377867
- 商品封装
- PowerTDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.093克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
WSD3030DN33是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 WSD3030DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力(EAS)，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%保证具有抗雪崩能力(EAS)
- 提供环保型器件
应用领域
- 用于移动主板(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关