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WSF40N10A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSF40N10A

1个N沟道 耐压:100V 电流:31A

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描述
WSF40N10A是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSF40N10A符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,并通过了全面的可靠性验证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSF40N10A
商品编号
C377865
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.56克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)52.1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)3.84nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)115pF

商品概述

WSF40N10A是一款高性能的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSF40N10A符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。

商品特性

~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件

应用领域

  • 高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关

数据手册PDF