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WST3416
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- WST3416采用先进的沟槽技术，可提供出色的Rps（导通）、低栅极电荷，并能在低至1.1V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST3416
- 商品编号
- C377854
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
WST3416采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷，并能在低至1.1V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供环保型器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步小功率开关-网络DC-DC电源系统-负载开关