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WSF4012B
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:28A
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- 描述
- Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -40 VGS(V) 20 ID(A)Max. -20 VGS(th)(v) -1.7 RDS(ON)(m?)@4.449V 48 Qg(nC)@4.5V 11.5 QgS(nC) 3.5 Qgd(nC) 3.3 Ciss(pF) 1415 Coss(pF) 134 Crss(pF) 102
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF4012B
- 商品编号
- C2990861
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证具有抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)背光源逆变器