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WSP6948
N沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 8 VGS(th)(v) 1.6 RDS(ON)(m?)@4.301V 28 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 3.2 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 1378 Coss(pF) 86 Crss(pF) 64
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP6948
- 商品编号
- C2990871
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSD45N10GDN56是具有极高单元密度的高性能SGT N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD45N10GDN56符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
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