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WST03P10
P沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -100 VGS(V) 20 ID(A)Max. -3 VGS(th)(v) -1.9 RDS(ON)(m?)@4.102V 320 Qg(nC)@4.5V 4.5 QgS(nC) 1.14 Qgd(nC) 1.5 Ciss(pF) 550 Coss(pF) 56 Crss(pF) 35
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST03P10
- 商品编号
- C2990872
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持出色的开关性能，使其非常适合高效率电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 超薄设计，最大高度0.6mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC - Q中所引用），具备高可靠性
- 另有符合汽车应用标准的型号，其数据手册单独提供（DMC1030UFDBQ）
应用领域
- 负载开关
- 电源管理功能
- 便携式电源适配器
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