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WSP06N10L
N沟道 耐压:100V 电流:6A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 6 VGS(th)(v) 2 RDS(ON)(m?)@4.279V 61 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 4 Qgd(nC) 4 Ciss(pF) 920 Coss(pF) 60 Crss(pF) 31
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP06N10L
- 商品编号
- C2990862
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
WsF4012B是高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WsF4012B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且经过全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）背光源逆变器