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WSD60N12GDN56
N沟道,电流:70A,耐压:120V
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 120 VGS(V) 20 ID(A)Max. 70 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.223V 18 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 5.6 Qgd(nC) 7.2 Ciss(pF) 2640 Coss(pF) 330 Crss(pF) 11
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD60N12GDN56
- 商品编号
- C2990865
- 商品封装
- DFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
WSP6948是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP6948符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%通过EAS测试
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 手机快速充电
- 无刷电机
- 家电控制板