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WSR25N20G
N沟道 耐压:200V 电流:36A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 200 VGS(V) 20 ID(A)Max. 36 VGS(th)(v) 3.8 RDS(ON)(m?)@4.504V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 11 Qgd(nC) 15 Ciss(pF) 2445 Coss(pF) 129 Crss(pF) 24
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR25N20G
- 商品编号
- C2990867
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.445nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 129pF |
商品概述
WST3428是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST3428符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
-高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关