WST02P06
P沟道 耐压:60V 电流:2.8A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -60 VGS(V) 20 ID(A)Max. -2.8 VGS(th)(v) -1.7 RDS(ON)(m?)@4.99V 200 Qg(nC)@4.5V 4.6 QgS(nC) 1.4 Qgd(nC) 1.6 Ciss(pF) 456 Coss(pF) 59 Crss(pF) 38
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST02P06
- 商品编号
- C2990869
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
WST02P06是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WST30P06符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑(MB)、上网本(NB)、超移动个人计算机(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
- WSF30150A
- WST03P10
- APM32F407VGT6
- MM1ZB18
- MM5Z24
- MM5Z15
- SPZ0JM471E08O00RAXXX
- SPZ0JM681E09O00RAXXX
- ERS1AM101D11OTG
- SPZ1AM221E05O00RAXXX
- ERR1AM221E07OTG
- SPZ1AM471E11O00RAXXX
- ERR1AM102G16OT
- SPZ1CM101E05O00RAXXX
- ERS1CM221E11OTG
- SPZ1CM331B09O00RAXXX
- ERR1CM331E12OTG
- ERR1CM471F09OT
- ERR1CM471F12OTG
- ERS1CM471F12OTG
- ERS1CM681F16OTG



