温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WST02P06
P沟道 耐压:60V 电流:2.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -60 VGS(V) 20 ID(A)Max. -2.8 VGS(th)(v) -1.7 RDS(ON)(m?)@4.99V 200 Qg(nC)@4.5V 4.6 QgS(nC) 1.4 Qgd(nC) 1.6 Ciss(pF) 456 Coss(pF) 59 Crss(pF) 38
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST02P06
- 商品编号
- C2990869
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 456pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
WSD60N12GDN56采用SGT II技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。 WSD60N12GDN56符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%通过EAS测试
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 手机快速充电
- 无刷电机
- 家电控制板