温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSF30150A
N沟道 耐压:30V 电流:145A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 145 VGS(th)(v) 1.6 RDS(ON)(m?)@4.366V 3.1 Qg(nC)@4.5V 22 QgS(nC) 4.3 Qgd(nC) 8.3 Ciss(pF) 2450 Coss(pF) 590 Crss(pF) 245
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF30150A
- 商品编号
- C2990870
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 590pF |
商品概述
WSP06N10L是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP06N10L符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步：用于移动主板（MB）、笔记本电脑（NB）、超移动个人计算机（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关