温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSD75N12GDN56
耐压:120V 电流:75A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 120 VGS(V) 20 ID(A)Max. 75 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.224V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 17.4 Qgd(nC) 14.1 Ciss(pF) 4282 Coss(pF) 429 Crss(pF) 17
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD75N12GDN56
- 商品编号
- C2990864
- 商品封装
- DFN5X6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61.4nC@0~10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.282nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD75N12GDN56采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达150°C
- 引脚无铅电镀
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-直流-直流转换器-负载开关