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WSD75N12GDN56
耐压:120V 电流:75A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 120 VGS(V) 20 ID(A)Max. 75 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.224V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 17.4 Qgd(nC) 14.1 Ciss(pF) 4282 Coss(pF) 429 Crss(pF) 17
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD75N12GDN56
- 商品编号
- C2990864
- 商品封装
- DFN5X6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61.4nC@0~10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.282nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSR25N20G是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSR25N20G符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关