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WSR20N65MR
耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- N沟道 650V 20A 400mΩ TO-220F-3L，可应用于按摩椅、医疗电源、5G、无人机、马达电机、汽车电子等
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR20N65MR
- 商品编号
- C2990860
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 264pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导(Truesemi)先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别优化,可最大限度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-电源管理-交流-直流转换器-LED电视背光源