CY7C1021BNL-15ZSXZKJ

CY7C1021BN是一款高性能CMOS静态RAM，组织为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能，在取消选择时显著降低功耗。写入器件通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来实现。如果字节低使能（BLE）为低电平，则来自输入/输出（I/O）引脚（I/O1至I/O8）的数据写入到地址引脚（A0至A15）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O9至I/O16）的数据写入到地址引脚（A0至A15）指定的位置。从器件读取通过将CE和输出使能（OE）置为低电平，同时强制WE为高电平来实现。如果BLE为低电平，则地址引脚指定的存储器位置的数据出现在I/O1至I/O8上。如果BHE为低电平，则存储器数据出现在I/O9至I/O16上。I/O引脚（I/O1至I/O16）在器件取消选择（CE高电平）、输出禁用（OE高电平）、BHE和BLE禁用（BHE、BLE高电平）或写入操作（CE低电平、WE低电平）期间置于高阻抗状态。CY7C1021BN提供标准44引脚TSOP II型和44引脚400密耳宽SOJ封装。订购时使用部件号CY7C1021BN以获取15 ns tAA。

• 温度范围：商业级0°C至70°C，工业级-40°C至85°C，汽车-A级-40°C至85°C，汽车-E级-40°C至125°C
• 高速：tAA = 15 ns（汽车级）
• 互补金属氧化物半导体（CMOS）实现速度/功率比
• 低有功功率：825 mW（最大值）
• 取消选择时自动掉电
• 上下位独立控制
• 提供无铅和非无铅44引脚TSOP II和44引脚400密耳宽SOJ封装