CY7C1021BNL-15SXAT
CY7C1021BNL-15SXAT
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- 商品型号
- CY7C1021BNL-15SXAT
- 商品编号
- C2955969
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 130mA | |
| 待机电流 | 500uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1021BN/CY7C10211BN是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为65536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可显著降低功耗。写入操作通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)置为低电平实现。若字节低使能(BLE)为低,则数据从输入/输出(I/O)引脚写入地址引脚指定的位置。若字节高使能(BHE)为低,则数据从I/O引脚写入地址引脚指定的位置。读取操作通过将CE和输出使能(OE)置为低电平,同时将WE置为高电平实现。若BLE为低,则指定地址存储单元的数据出现在I/O引脚上。若BHE为低,则存储单元的数据出现在I/O引脚上。当器件未被选中、输出被禁用、BHE和BLE被禁用或处于写入操作期间时,I/O引脚处于高阻态。该器件采用标准44引脚TSOP II型和44引脚400密耳宽SOJ封装。
商品特性
- 提供多种温度范围:0℃至70℃(商用);-40℃至85℃(工业);-40℃至85℃(汽车-A级);-40℃至125℃(汽车-E级)
- 高速性能:存取时间(tAA)为15纳秒(汽车级)
- 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,实现速度与功耗的优化
- 低工作功耗:最大825毫瓦
- 未被选中时自动掉电
- 支持高位和低位字节的独立控制
- 提供无铅和非无铅的44引脚TSOP II及44引脚400密耳宽SOJ封装
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