CY7C1021BNL-15SXAT
CY7C1021BNL-15SXAT
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- 商品型号
- CY7C1021BNL-15SXAT
- 商品编号
- C2955969
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 15ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 130mA | |
| 待机电流 | 500uA |
商品概述
CY7C1021BN/CY7C10211BN是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时,将片选信号(CE)和写使能信号(WE)置为低电平。若低字节使能信号(BLE)为低电平,则来自输入/输出(I/O)引脚(I/O1至I/O8)的数据将被写入地址引脚(A0至A15)指定的位置。若高字节使能信号(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O9至I/O16)的数据将被写入地址引脚(A0至A15)指定的位置。从器件读取数据时,将CE和输出使能信号(OE)置为低电平,同时将WE置为高电平。若BLE为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O1至I/O8上。若BHE为低电平,则存储数据将出现在I/O9至I/O16上。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平,WE为低电平),I/O引脚(I/O1至I/O16)处于高阻状态。CY7C1021BN/CY7C10211BN有标准的44引脚TSOP II型和44引脚400密耳宽SOJ封装。订购tAA为15 ns的产品时,请使用型号CY7C1021BN。
商品特性
- 温度范围:商业级为0°C至70°C,工业级为 -40°C至85°C,汽车A类为 -40°C至85°C,汽车E类为 -40°C至125°C
- 高速:tAA = 15 ns(汽车应用)
- 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,实现最佳速度/功率比
- 低有源功耗:最大825 mW
- 未选中时自动掉电
- 上下位独立控制
- 提供无铅和含铅的44引脚TSOP II和44引脚400密耳宽SOJ封装
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