CY7C1021BN-15ZCT

CY7C1021BN/CY7C10211BN 是一种组织为 65,536 字 × 16 位的 CMOS 静态 RAM。该器件具有自动断电功能，在未选中时显著降低功耗。通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来完成写入操作。如果字节低使能 (BLE) 为低电平，则来自 I/O 引脚 (I/O1 至 I/O8) 的数据写入到地址引脚 (A0 至 A15) 指定的位置。如果字节高使能 (BHE) 为低电平，则来自 I/O 引脚 (I/O9 至 I/O16) 的数据写入到地址引脚 (A0 至 A15) 指定的位置。通过将芯片使能 (CE) 和输出使能 (OE) 置为低电平，同时将写使能 (WE) 置为高电平来完成读取操作。如果字节低使能 (BLE) 为低电平，则地址引脚指定的存储器位置的数据将出现在 I/O1 至 I/O8 上。如果字节高使能 (BHE) 为低电平，则存储器数据将出现在 I/O9 至 I/O16 上。当器件未选中 (CE 高电平)、输出禁用 (OE 高电平)、BHE 和 BLE 禁用 (BHE, BLE 高电平) 或写入操作期间 (CE 低电平且 WE 低电平) 时，输入/输出引脚 (I/O1 至 I/O16) 处于高阻抗状态。CY7C1021BN/CY7C10211BN 采用标准 44 引脚 TSOP Type II 和 44 引脚 400-mil 宽 SOJ 封装。

• 温度范围：商用 0°C 至 70°C，工业 -40°C 至 85°C，汽车-A -40°C 至 85°C，汽车-E -40°C 至 125°C
• 高速：tAA = 10 ns (商用)，tAA = 15 ns (汽车)
• 低有功功率：825 mW (最大)
• 未选中时自动断电
• 上下位独立控制
• 提供无铅和非无铅 44 引脚 TSOP II 和 44 引脚 400-mil 宽 SOJ 封装