CY7C1021BN-15VXEKJ
CY7C1021BN-15VXEKJ
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- 商品型号
- CY7C1021BN-15VXEKJ
- 商品编号
- C2955978
- 商品封装
- BSOJ-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电流 | 190mA | |
| 待机电流 | 5mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1021V是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,其组织架构为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可显著降低功耗。写入操作通过将片选和写使能输入置为低电平来实现。若字节低使能为低,则数据从输入/输出引脚写入由地址引脚指定的位置。若字节高使能为低,则数据从输入/输出引脚写入由地址引脚指定的位置。读取操作通过将片选和输出使能置为低电平,同时将写使能保持为高电平来实现。若字节低使能为低,则由地址引脚指定的存储单元数据将出现在输入/输出引脚上。若字节高使能为高,则存储数据将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中、输出被禁用、字节高使能和字节低使能被禁用,或处于写操作期间时,输入/输出引脚处于高阻态。该器件提供400密耳宽的小外形J引脚封装、标准44引脚薄型小尺寸封装II型以及48球微型球栅阵列封装。
商品特性
- 工作电压3.3伏
- 高速访问时间10纳秒、12纳秒或15纳秒
- 采用CMOS技术,实现速度与功耗的平衡
- 低版本具有低工作功耗,最大值为576毫瓦
- 低版本具有低CMOS待机功耗,最大值为1.80毫瓦
- 未被选中时自动掉电
- 可独立控制高字节和低字节
- 提供44引脚薄型小尺寸封装II型和400密耳小外形J引脚封装
- 提供48球微型球栅阵列封装
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