CY7C1021BL-15ZC
CY7C1021BL-15ZC
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- 商品型号
- CY7C1021BL-15ZC
- 商品编号
- C2955985
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 130mA | |
| 待机电流 | 500uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1021B/10211B是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为65536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时,将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则将来自I/O引脚(I/O₁至I/O₈)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置;若高字节使能(BHE)为低电平,则将来自I/O引脚(I/O₉至I/O₁₆)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。从器件读取数据时,将片选(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储单元的数据将出现在I/O₁至I/O₈上;若高字节使能(BHE)为低电平,则存储单元的数据将出现在I/O₉至I/O₁₆上。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或进行写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,输入/输出引脚(I/O₁至I/O₁₆)处于高阻态。CY7C1021B/10211B有标准的44引脚TSOP II型和400密耳宽SOJ封装。客户订购tAA为10 ns的器件时应使用部件编号CY7C10211B,订购tAA为12 ns和15 ns的器件时应使用CY7C1021B。
商品特性
- 温度范围:商用0°C至70°C,工业-40°C至85°C,汽车-40°C至125°C
- 高速:t_AA = 10 ns(商用和工业),t_AA = 15 ns(汽车)
- CMOS用于速度与功率
- 低有功功率:825 mW(最大)
- 取消选择时自动断电
- 上下位独立控制
- 提供44引脚TSOP II和400-mil SOJ封装
- 也提供无铅44引脚TSOP II
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