CY7C1020CV26是一款高性能CMOS静态RAM，组织为32,768字×16位。该器件具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。写入设备通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置低来实现。如果字节低使能（BLE）为低，则来自I/O引脚（I/O1至I/O8）的数据写入到地址引脚（A0至A14）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低，则来自I/O引脚（I/O9至I/O16）的数据写入到地址引脚（A0至A14）指定的位置。从设备读取通过将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置低，同时写使能（WE）置高来实现。如果字节低使能（BLE）为低，则地址引脚指定的内存位置数据出现在I/O1至I/O8上。如果字节高使能（BHE）为低，则内存数据出现在I/O9至I/O16上。输入/输出引脚（I/O1至I/O16）在设备取消选择（CE高）、输出禁用（OE高）、BHE和BLE禁用（BHE、BLE高）或写入操作（CE低，WE低）期间置于高阻抗状态。CY7C1020CV26采用标准44引脚TSOP II封装。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	512Kbit
	工作电压	2.5V~2.7V
	读写时间	15ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	100mA
	待机电流	5mA
	功能特性	自动掉电功能

CY7C1020CV26-15XEKJT

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商品特性

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