CY7C1019CV33-8VC
CY7C1019CV33-8VC
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- 商品型号
- CY7C1019CV33-8VC
- 商品编号
- C2956021
- 商品封装
- SOIC-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.97V~3.63V | |
| 读写时间 | 8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 85mA | |
| 待机电流 | 5mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
该器件是一款高性能CMOS静态RAM,组织架构为131072字 × 8位。它通过低电平有效的片选、低电平有效的输出使能和三态驱动器,便于实现存储器扩展。该器件具有自动掉电功能,在不被选中时可显著降低功耗。写入操作通过将片选和写使能输入置为低电平来完成,此时数据通过输入/输出引脚写入由地址引脚指定的位置。读取操作通过将片选和输出使能置为低电平,同时将写使能保持为高电平来完成,此时指定地址的存储单元内容将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中、输出被禁用或处于写入操作期间时,输入/输出引脚将处于高阻抗状态。该器件提供标准封装选项。
商品特性
- 引脚和功能与CY7C1019BV33兼容
- 高速访问时间:8纳秒、10纳秒、12纳秒、15纳秒
- 采用CMOS工艺,实现优化的速度与功耗比
- 数据保持电压为2.0V
- 中心电源和接地引脚布局
- 不选中时自动掉电
- 通过片选和输出使能选项,便于存储器扩展
- 提供多种封装形式
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