CY7C1019BV33/CY7C1018BV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为131,072字×8位。通过低电平有效的芯片使能（CE）、低电平有效的输出使能（OE）和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平，此时8个I/O引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。从器件读取数据时，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平，此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，8个输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）处于高阻态。CY7C1019BV33采用标准32引脚TSOP II和400密耳宽封装，CY7C1018BV33采用标准300密耳宽封装。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	1Mbit
	工作电压	2.97V~3.63V

	属性	参数值
	读写时间	10ns
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	175mA
	待机电流	5mA

CY7C1019BV33-10VC

商品参数

商品概述

商品特性

数据手册PDF