CY7C1011CV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为131,072字×16位。向该器件写入数据时，需将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置；若字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。从该器件读取数据时，需将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上；若字节高使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻抗状态。CY7C1011CV33有标准的44引脚TSOP II封装（中心电源和接地引脚布局）、44引脚薄型塑料四方扁平封装（TQFP）以及48球细间距球栅阵列（VFBGA）封装。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	2Mbit
	工作电压	3V~3.6V

	属性	参数值
	读写时间	15ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	90mA
	待机电流	10mA

CY7C1011CV33-15BVI

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