CY7C1011CV33-10BVI
CY7C1011CV33-10BVI
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- CY7C1011CV33-10BVI
- 商品编号
- C2956073
- 商品封装
- VFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.97V~3.63V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 100mA | |
| 待机电流 | 10mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1011CV33 是一款高性能 CMOS 静态 RAM,组织为 131,072 字 × 16 位。该器件具有自动断电功能,在取消选择时显著降低功耗。写入设备时,将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平。如果字节低使能 (BLE) 为低电平,则来自 I/O 引脚 (I/O0 至 I/O7) 的数据写入到地址引脚 (A0 至 A16) 指定的位置。如果字节高使能 (BHE) 为低电平,则来自 I/O 引脚 (I/O8 至 I/O15) 的数据写入到地址引脚 (A0 至 A16) 指定的位置。当设备取消选择 (CE 高电平)、输出禁用 (OE 高电平)、BHE 和 BLE 禁用 (BHE、BLE 高电平) 或写入操作期间 (CE 低电平且 WE 低电平) 时,输入和输出引脚 (I/O0 至 I/O15) 处于高阻抗状态。有关实践建议,请参考应用笔记 AN1064,SRAM 系统指南。
商品特性
- 温度范围:工业级:-40℃ 至 85℃;汽车-A级:-40℃ 至 85℃;汽车-E级:-40℃ 至 125℃
- 引脚和功能与 CY7C1011BV33 兼容
- 高速:tAA = 10 ns(工业级和汽车-A级),tAA = 12 ns(汽车-E级)
- 低有功功率:360 mW(最大值)(工业级和汽车-A级)
- 数据保留在 2.0
- 取消选择时自动断电
- 独立控制上下位
- 通过 CE 和 OE 功能轻松扩展内存
- 提供无铅 44 引脚 TSOP II、44 引脚 TQFP 和非无铅 48 球 VFBGA 封装
- CY7C1011CV33-10BVC
- CY7C1010DV33-10VXI
- CY7C09389V-9ACT
- CY7C09389V-9AC
- CY7C09389V-7AC
- CY7C09389V-6AC
- CY7C09369V-9AC
- CY7C09359AV-9AXCKJ
- CY7C09349AV-12AXCKJ
- CY7C09349AV-12AC
- CY7C09349AV-102AXCKJ
- CY7C09289V-9ACKJ
- CY7C09289V-9AC
- CY7C09289V-7AC
- CY7C09279V-74XCKJ
- CY7C09269V-7AXCKJ
- CY7C09269V-7AC
- CY7C09269-12AC
- CY7C09199V-7AC
- CY7C09199V-6AC
- CY7C09099V-12AC
- CY7C1011CV33-10BVC
- CY7C1010DV33-10VXI
- CY7C09389V-9ACT
- CY7C09389V-9AC
- CY7C09389V-7AC
- CY7C09389V-6AC
- CY7C09369V-9AC
- CY7C09359AV-9AXCKJ
- CY7C09349AV-12AXCKJ
- CY7C09349AV-12AC
- CY7C09349AV-102AXCKJ
- CY7C09289V-9ACKJ
- CY7C09289V-9AC
- CY7C09289V-7AC
- CY7C09279V-74XCKJ
- CY7C09269V-7AXCKJ
- CY7C09269V-7AC
- CY7C09269-12AC
- CY8C3244PVI-133
- CY7C09279V-12AXCKJ
- CY7C092694V-12AXI

