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CY7C1011CV33-10BVI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1011CV33-10BVI

CY7C1011CV33-10BVI

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商品型号
CY7C1011CV33-10BVI
商品编号
C2956073
商品封装
VFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量2Mbit
工作电压2.97V~3.63V
读写时间10ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流100mA
待机电流10mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1011CV33 是一款高性能 CMOS 静态 RAM,组织为 131,072 字 × 16 位。该器件具有自动断电功能,在取消选择时显著降低功耗。写入设备时,将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平。如果字节低使能 (BLE) 为低电平,则来自 I/O 引脚 (I/O0 至 I/O7) 的数据写入到地址引脚 (A0 至 A16) 指定的位置。如果字节高使能 (BHE) 为低电平,则来自 I/O 引脚 (I/O8 至 I/O15) 的数据写入到地址引脚 (A0 至 A16) 指定的位置。当设备取消选择 (CE 高电平)、输出禁用 (OE 高电平)、BHE 和 BLE 禁用 (BHE、BLE 高电平) 或写入操作期间 (CE 低电平且 WE 低电平) 时,输入和输出引脚 (I/O0 至 I/O15) 处于高阻抗状态。有关实践建议,请参考应用笔记 AN1064,SRAM 系统指南。

商品特性

  • 温度范围:工业级:-40℃ 至 85℃;汽车-A级:-40℃ 至 85℃;汽车-E级:-40℃ 至 125℃
  • 引脚和功能与 CY7C1011BV33 兼容
  • 高速:tAA = 10 ns(工业级和汽车-A级),tAA = 12 ns(汽车-E级)
  • 低有功功率:360 mW(最大值)(工业级和汽车-A级)
  • 数据保留在 2.0
  • 取消选择时自动断电
  • 独立控制上下位
  • 通过 CE 和 OE 功能轻松扩展内存
  • 提供无铅 44 引脚 TSOP II、44 引脚 TQFP 和非无铅 48 球 VFBGA 封装

数据手册PDF