CY7C09279V-74XCKJ

CY7C09269V/79V/89V 和 CY7C09369V/89V 是高速 3.3V 同步 CMOS 16K、32K 和 64K×16 以及 16K 和 64K×18 双端口静态 RAM。提供两个端口，允许对内存中的任何位置进行独立、同时的读写操作。控制、地址和数据线上的寄存器可实现极短的建立和保持时间。在流水线输出模式下，数据被寄存以减少周期时间，时钟到数据有效时间 tCD2 = 7.5 ns（流水线模式）。直通模式也可用于绕过流水线输出寄存器以消除访问延迟。在直通模式下，地址被时钟输入到器件后 tCD1 = 18 ns 数据可用。通过 FT/Pipe 引脚选择流水线输出或直通模式。每个端口的输入地址寄存器包含一个突发计数器。内部写脉冲宽度与时钟信号的低到高转换无关。内部写脉冲自动定时以实现尽可能短的周期时间。CE0（上划线）为高电平或 CE1 为低电平一个时钟周期会使内部电路断电以降低静态功耗。使用多个片选使能可更轻松地对多个芯片进行分组以实现深度扩展配置。在流水线模式下，需要一个周期使 CE0（上划线）为低电平且 CE1 为高电平来重新激活输出。提供计数器使能输入以暂停地址输入操作，并使用内部计数器生成的内部地址用于快速交错内存应用。端口的突发计数器由端口的地址选通（ADS）加载。当端口的计数使能（CNTEN）有效时，地址计数器在该端口时钟信号的每个低到高转换时递增。这会从或向每个连续地址位置读写一个字，直到 CNTEN 无效。计数器可以寻址整个内存阵列并循环回到起始位置。计数器复位（CNTRST）用于复位突发计数器。所有器件均采用 100 引脚薄型四方塑料扁平封装（TQFP）。

• 真正的双端口存储单元，允许同时访问同一存储位置
• 六种直通/流水线器件：16K×16/18 结构（CY7C09269V/369V）、32K×16 结构（CY7C09279V）、64K×16/18 结构（CY7C09289V/389V）
• 三种模式：直通、流水线、突发
• 双端口的流水线输出模式允许 100 MHz 的快速操作
• 0.35 微米 CMOS 工艺，实现最佳速度和功耗
• 高速时钟到数据访问：7.5、9、12 ns（最大）
• 3.3V 低工作功耗：活动状态 = 115 mA（典型值），待机状态 = 10 μA（典型值）
• 全同步接口，便于操作
• 突发计数器在内部递增地址：缩短周期时间，最小化总线噪声，在直通和流水线模式下均支持
• 双芯片使能，便于深度扩展
• 上下字节控制，用于总线匹配
• 自动掉电
• 商业和工业温度范围
• 提供无铅 100 引脚 TQFP 封装