CY7C1012AV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×24位。每个数据字节由单独的片选信号（CE0上划线、CE1上划线、CE2上划线）分别控制。CE0上划线控制I/O0 - I/O7的数据，CE1上划线控制I/O8 - I/O15的数据，CE2上划线控制I/O16 - I/O23的数据。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可显著降低功耗。向SRAM写入数据字节时，控制该字节的片选信号为低电平且写使能输入（WE）为低电平。在相应的输入/输出（I/O）引脚上的数据将被写入地址引脚（A0 - A18）指定的位置。将所有片选信号置为低电平且写使能置为低电平，可将24位数据全部写入SRAM。在写入模式下，输出使能（OE）信号被忽略。数据字节也可从器件中单独读取。读取字节时，控制该字节的片选信号为低电平，写使能（WE）为高电平，输出使能（OE）保持低电平。在这些条件下，地址引脚指定的存储单元内容将出现在指定的数据输入/输出（I/O）引脚上。将所有片选信号置为低电平，可从SRAM读取24位数据。当所有片选信号为高电平或在读取模式下输出使能（OE）为高电平时，24个I/O引脚（I/O0 - I/O23）处于高阻态。CY7C1012AV33采用标准的119球PBGA封装。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	12Mbit
	工作电压	3V~3.6V

	属性	参数值
	读写时间	10ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	275mA
	待机电流	50mA

CY7C1012AV33-10BGI

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