CY7C1020BN 是一种高性能CMOS静态RAM，组织为32,768字×16位。该器件具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。写入设备通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来实现。如果字节低使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O1至I/O8）的数据写入到地址引脚（A0至A15）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O9至I/O16）的数据写入到地址引脚（A0至A15）指定的位置。从设备读取通过将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平来实现。如果字节低使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储器位置的数据将出现在I/O1至I/O8上。如果字节高使能（BHE）为低电平，则存储器数据将出现在I/O9至I/O16上。当设备取消选择（CE高电平）、输出禁用（OE高电平）、BHE和BLE禁用（BHE、BLE高电平）或写入操作期间（CE低电平且WE低电平）时，输入/输出引脚（I/O1至I/O16）处于高阻抗状态。CY7C1020BN 提供标准的44引脚TSOP Type II和400密耳宽SOJ封装。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	512Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V
	读写时间	12ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	140mA
	待机电流	3mA
	功能特性	自动掉电功能

CY7C1020BN-12VC

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