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CY7C1020CV33-15ZI实物图
  • CY7C1020CV33-15ZI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1020CV33-15ZI

CY7C1020CV33-15ZI

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商品型号
CY7C1020CV33-15ZI
商品编号
C2955998
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量512Kbit
工作电压2.97V~3.63V
属性参数值
读写时间15ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流80mA
待机电流5mA

商品概述

CY7C1020CV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为32,768字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。写入操作通过将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来完成。若低字节使能(BLE)为低电平,则将I/O引脚(I/O₁至I/O₈)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₄)指定的位置;若高字节使能(BHE)为低电平,则将I/O引脚(I/O₉至I/O₁₆)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₄)指定的位置。读取操作通过将片选(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平来完成。若低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₁至I/O₈上;若高字节使能(BHE)为低电平,则存储数据将出现在I/O₉至I/O₁₆上。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₁至I/O₁₆)处于高阻态。CY7C1020CV33采用标准的44引脚TSOP II型封装。

商品特性

  • 引脚和功能与CY7C1020V33兼容
  • 温度范围:
    • 商用:0°C至70°C
    • 工业用:-40°C至85°C
    • 汽车用:-40°C至125°C
  • 高速
    • 存取时间tₐₐ = 10、12、15 ns
  • 采用CMOS工艺以实现最佳速度/功耗比
  • 低工作功耗
    • 最大360 mW
  • 未选中时自动掉电
  • 上下位独立控制
  • 采用44引脚TSOP II封装

数据手册PDF