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CY7C1020V33-12ZC实物图
  • CY7C1020V33-12ZC商品缩略图

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CY7C1020V33-12ZC

CY7C1020V33-12ZC

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商品型号
CY7C1020V33-12ZC
商品编号
C2955992
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量512Kbit
工作电压3V~3.6V
读写时间12ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流120mA
待机电流1mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1020V是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为32,768字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时,将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₁至I/O₈)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₄)指定的位置;若高字节使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₉至I/O₁₆)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₄)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₁至I/O₈上;若高字节使能(BHE)为低电平,则存储数据将出现在I/O₉至I/O₁₆上。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₁至I/O₁₆)处于高阻抗状态。CY7C1020V采用标准的44引脚TSOP II型和400密耳宽SOJ封装。

商品特性

  • 3.3V工作电压(3.0V - 3.6V)
  • 高速,地址访问时间tAA = 10 ns
  • 低工作功耗,540 mW(最大值,12 ns)
  • 极低待机功耗,330 μW(最大值,“L”版本)
  • 未选中时自动掉电
  • 上下字节独立控制
  • 提供44引脚TSOP II和400密耳SOJ封装

数据手册PDF