CY7C1021BN-15VI

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1021BN-15VI
商品编号: C2955980
商品封装: BSOJ-44
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1021BN/CY7C10211BN是一款高性能CMOS静态RAM，组织为65,536字×16位。该器件具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。写入设备通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来实现。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O1至I/O8)的数据写入到地址引脚(A0至A15)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O9至I/O16)的数据写入到地址引脚(A0至A15)指定的位置。从设备读取通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平，同时将写使能(WE)置为高电平来实现。如果字节低使能(BLE)为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O1至I/O8上。如果字节高使能(BHE)为低电平，则存储数据将出现在I/O9至I/O16上。当设备取消选择(CE高电平)、输出禁用(OE高电平)、BHE和BLE禁用(BHE、BLE高电平)或写入操作期间(CE低电平且WE低电平)时，输入/输出引脚(I/O1至I/O16)处于高阻抗状态。CY7C1021BN/CY7C10211BN提供标准44引脚TSOP Type II和44引脚400密耳宽SOJ封装。

商品特性

温度范围：商用0°C至70°C，工业-40°C至85°C，汽车-A -40°C至85°C，汽车-E -40°C至125°C
高速：tAA = 10 ns (商用)，tAA = 15 ns (汽车级)
CMOS技术实现速度/功耗比
低有功功率：最大825 mW
取消选择时自动断电
独立控制高位和低位
提供无铅和非无铅的44引脚TSOP II和44引脚400密耳宽SOJ封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	1Mbit
	工作电压	4.5V~5.5V
	读写时间	15ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	130mA
	待机电流	10mA
	功能特性	自动掉电功能