CY7C1021BN/CY7C10211BN是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时，将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若低字节使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₁至I/O₈）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置；若高字节使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₉至I/O₁₆）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。从器件读取数据时，将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若低字节使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₁至I/O₈上；若高字节使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₉至I/O₁₆上。该器件在未选中（CE为高电平）、输出禁用（OE为高电平）、BHE和BLE禁用（BHE、BLE为高电平）或写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₁至I/O₁₆）处于高阻态。CY7C1021BN/CY7C10211BN有标准的44引脚TSOP II型和44引脚400密耳宽SOJ封装。客户订购tAA为10 ns的器件时应使用部件编号CY7C10211BN，订购tAA为12 ns和15 ns的器件时应使用CY7C1021BN。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	1Mbit
	工作电压	4.5V~5.5V

	属性	参数值
	读写时间	15ns
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	130mA
	待机电流	10mA

CY7C1021BN-15VC

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