CY7C1021BNL-15ZSXAKJ
CY7C1021BNL-15ZSXAKJ
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- 商品型号
- CY7C1021BNL-15ZSXAKJ
- 商品编号
- C2955965
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 130mA | |
| 待机电流 | 500uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1021BN是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。向该器件写入数据时,需将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若字节低使能(BLE)为低电平,则来自输入/输出(I/O)引脚(I/O1至I/O8)的数据将被写入地址引脚(A0至A15)指定的位置。若字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O9至I/O16)的数据将被写入地址引脚(A0至A15)指定的位置。从该器件读取数据时,需将CE和输出使能(OE)置为低电平,同时将WE置为高电平。若BLE为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O1至I/O8上。若BHE为低电平,则存储数据将出现在I/O9至I/O16上。有关读写模式的完整描述,请参阅第11页的真值表。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平,WE为低电平),I/O引脚(I/O1至I/O16)将处于高阻态。CY7C1021BN有标准的44引脚TSOP II型和44引脚400密耳宽SOJ封装。订购15 ns tAA时,请使用部件编号CY7C1021BN。
商品特性
- 温度范围:商用0°C至70°C;工业级 -40°C至85°C;汽车级A -40°C至85°C;汽车级E -40°C至125°C
- 高速:tAA = 15 ns(汽车级)
- 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)以实现最佳速度/功率比
- 低有源功率:825 mW(最大值)
- 未选中时自动掉电
- 上下位独立控制
- 有无铅和含铅的44引脚TSOP II和44引脚400密耳宽SOJ封装可选
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