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CY7C1021BNL-15ZSXAKJ引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1021BNL-15ZSXAKJ

CY7C1021BNL-15ZSXAKJ

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商品型号
CY7C1021BNL-15ZSXAKJ
商品编号
C2955965
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间15ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流130mA
待机电流500uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1021BN是一款高性能CMOS静态RAM,组织为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在取消选择时显著降低功耗。写入器件通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来实现。如果字节低使能(BLE)为低电平,则来自输入/输出(I/O)引脚(I/O1至I/O8)的数据写入到地址引脚(A0至A15)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O9至I/O16)的数据写入到地址引脚(A0至A15)指定的位置。从器件读取通过将CE和输出使能(OE)置为低电平,同时强制WE为高电平来实现。如果BLE为低电平,则地址引脚指定的存储器位置的数据出现在I/O1至I/O8上。如果BHE为低电平,则存储器数据出现在I/O9至I/O16上。I/O引脚(I/O1至I/O16)在器件取消选择(CE高电平)、输出禁用(OE高电平)、BHE和BLE禁用(BHE、BLE高电平)或写入操作(CE低电平、WE低电平)期间置于高阻抗状态。CY7C1021BN提供标准44引脚TSOP II型和44引脚400密耳宽SOJ封装。订购时使用部件号CY7C1021BN以获取15 ns tAA。

商品特性

  • 温度范围:商业级0°C至70°C,工业级-40°C至85°C,汽车-A级-40°C至85°C,汽车-E级-40°C至125°C
  • 高速:tAA = 15 ns(汽车级)
  • 互补金属氧化物半导体(CMOS)实现速度/功率比
  • 低有功功率:825 mW(最大值)
  • 取消选择时自动掉电
  • 上下位独立控制
  • 提供无铅和非无铅44引脚TSOP II和44引脚400密耳宽SOJ封装

数据手册PDF