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CY7C1021BNL-15ZSXAKJ实物图
  • CY7C1021BNL-15ZSXAKJ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1021BNL-15ZSXAKJ

CY7C1021BNL-15ZSXAKJ

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商品型号
CY7C1021BNL-15ZSXAKJ
商品编号
C2955965
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间15ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流130mA
待机电流500uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1021BN是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。向该器件写入数据时,需将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若字节低使能(BLE)为低电平,则来自输入/输出(I/O)引脚(I/O1至I/O8)的数据将被写入地址引脚(A0至A15)指定的位置。若字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O9至I/O16)的数据将被写入地址引脚(A0至A15)指定的位置。从该器件读取数据时,需将CE和输出使能(OE)置为低电平,同时将WE置为高电平。若BLE为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O1至I/O8上。若BHE为低电平,则存储数据将出现在I/O9至I/O16上。有关读写模式的完整描述,请参阅第11页的真值表。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平,WE为低电平),I/O引脚(I/O1至I/O16)将处于高阻态。CY7C1021BN有标准的44引脚TSOP II型和44引脚400密耳宽SOJ封装。订购15 ns tAA时,请使用部件编号CY7C1021BN。

商品特性

  • 温度范围:商用0°C至70°C;工业级 -40°C至85°C;汽车级A -40°C至85°C;汽车级E -40°C至125°C
  • 高速:tAA = 15 ns(汽车级)
  • 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)以实现最佳速度/功率比
  • 低有源功率:825 mW(最大值)
  • 未选中时自动掉电
  • 上下位独立控制
  • 有无铅和含铅的44引脚TSOP II和44引脚400密耳宽SOJ封装可选

数据手册PDF