CY7C1021BV33L-10ZC
CY7C1021BV33L-10ZC
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- 商品型号
- CY7C1021BV33L-10ZC
- 商品编号
- C2955948
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 160mA | |
| 待机电流 | 500uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1021BV是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。写入操作通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来完成。读取操作通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平来完成。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚处于高阻抗状态。CY7C1021BV有400密耳宽的SOJ、标准44引脚TSOP II型和48球微型BGA封装。
商品特性
- 工作电压为3.3伏(范围3.0伏至3.6伏)
- 高速性能,访问时间tAA为10纳秒、12纳秒或15纳秒
- 采用CMOS技术,实现速度与功耗的良好平衡
- 低功耗版本具有低工作功耗,最大为576毫瓦
- 低功耗版本具有低待机功耗,最大为1.80毫瓦
- 未选中时自动进入省电模式
- 可独立控制高字节和低字节
- 提供44引脚TSOP II和400密耳SOJ封装
- 提供48球微型BGA封装
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