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CY7C1021BV33L-10ZC引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1021BV33L-10ZC

CY7C1021BV33L-10ZC

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商品型号
CY7C1021BV33L-10ZC
商品编号
C2955948
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压3V~3.6V
读写时间10ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流160mA
待机电流500uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1021BV是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。写入操作通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来完成。读取操作通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平来完成。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚处于高阻抗状态。CY7C1021BV有400密耳宽的SOJ、标准44引脚TSOP II型和48球微型BGA封装。

商品特性

  • 工作电压为3.3伏(范围3.0伏至3.6伏)
  • 高速性能,访问时间tAA为10纳秒、12纳秒或15纳秒
  • 采用CMOS技术,实现速度与功耗的良好平衡
  • 低功耗版本具有低工作功耗,最大为576毫瓦
  • 低功耗版本具有低待机功耗,最大为1.80毫瓦
  • 未选中时自动进入省电模式
  • 可独立控制高字节和低字节
  • 提供44引脚TSOP II和400密耳SOJ封装
  • 提供48球微型BGA封装

数据手册PDF