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CY7C1021BV33L-10VXC引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1021BV33L-10VXC

CY7C1021BV33L-10VXC

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商品型号
CY7C1021BV33L-10VXC
商品编号
C2955949
商品封装
BSOJ-44​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压3V~3.6V
读写时间10ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流160mA
待机电流500uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1021BV是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时,将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₁至I/O₈)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置;若高字节使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₉至I/O₁₆)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₁至I/O₈上;若高字节使能(BHE)为低电平,则存储数据将出现在I/O₉至I/O₁₆上。该器件在未选中(CE为高电平)、输出禁用(OE为高电平)、BHE和BLE禁用(BHE、BLE为高电平)或写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₁至I/O₁₆)处于高阻态。CY7C1021BV有400密耳宽的SOJ、标准44引脚TSOP II型和48球微型BGA封装。

商品特性

  • 3.3V 操作 (3.0V-3.6V)
  • 高速
  • tAA = 10/12/15 ns
  • CMOS 用于速度/功率
  • 低活动功耗(L 版本)— 576 mW(最大值)
  • 低 CMOS 待机功耗(L 版本)— 1.80 mW(最大值)
  • 取消选择时自动断电
  • 独立控制上位和下位
  • 提供 44 引脚 TSOP II 和 400-mil SOJ 封装
  • 提供 48 球 Mini BGA 封装

数据手册PDF