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CY7C1339B-133BGI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1339B-133BGI

CY7C1339B-133BGI

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商品型号
CY7C1339B-133BGI
商品编号
C2955583
商品封装
BGA-119​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压2.5V~3.3V
读写时间4ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流375mA
待机电流10mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1339B是一款3.3V、128K×32的同步流水线缓存SRAM,旨在以最少的胶合逻辑支持零等待状态的二级缓存。CY7C1339B的I/O引脚可在2.5V或3.3V电平下工作;当VDDQ = 2.5V时,I/O引脚可承受3.3V电压。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器,所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟上升沿后的最大访问延迟为3.5 ns(166-MHz器件)。CY7C1339B支持英特尔奔腾处理器使用的交错突发序列或PowerPC等处理器使用的线性突发序列,通过MODE引脚选择突发序列。访问可以通过在时钟上升沿时断言处理器地址选通(ADSP)或控制器地址选通(ADSC)来启动。突发序列中的地址推进由ADV输入控制。一个两位的片上循环突发计数器捕获突发序列中的第一个地址,并自动递增其余突发访问的地址。字节写入操作由四个字节写入选择(BW[3:0]上划线)输入限定。全局写入使能(GW上划线)覆盖所有字节写入输入,并将数据写入所有四个字节。所有写入操作均通过片上同步自定时写入电路进行。三个同步芯片选择(CE1上划线、CE2、CE3上划线)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。

商品特性

  • 支持100-MHz总线操作,实现零等待状态
  • 采用全寄存器输入和输出,支持流水线操作
  • 采用128K × 32共用I/O架构
  • 核心电源电压为3.3V
  • I/O工作电压为2.5V或3.3V
  • 提供快速的时钟到输出时间,分别为3.5纳秒、4.0纳秒和5.5纳秒
  • 支持用户可选的突发计数器
  • 提供独立的处理器和控制器地址选通信号
  • 采用同步自定时写入
  • 提供异步输出使能
  • 提供JEDEC标准100引脚TQFP和119球BGA封装
  • 提供“ZZ”睡眠模式和停止时钟选项

数据手册PDF