CY7C293A-50WC

CY7C291A、CY7C292A和CY7C293A是高性能的2K字×8位CMOS PROM。它们功能相同，但封装形式不同，7C291A和7C293A采用300密耳封装，7C292A采用600密耳宽的塑料和密封双列直插式封装。CY7C293A具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低70%以上。300密耳陶瓷封装可配备擦除窗口，暴露在紫外线下时，PROM可被擦除并重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节宽智能编程算法。这些器件可直接替代双极型器件，具有低功耗、可重编程、性能优越和编程良率高等优点。EPROM单元的过压只需12.5V，低电流要求允许进行成组编程。每个存储单元在封装前都要进行100%测试，包括写入、擦除和反复操作。每个PROM还要进行交流性能测试，以确保客户编程后产品符合直流和交流规格限制。读取操作通过在CS1（上划线）上施加有效低电平信号，在CS2和CS3上施加有效高电平信号来完成。地址线（A0 - A10）所寻址的存储单元内容将在输出线（O0 - O7）上可用。

• 带有窗口，可重编程
• 采用CMOS技术，实现最佳速度/功率比
• 高速：20 ns（商用） - 25 ns
• 低功耗：660 mW
• 低待机功耗：220 mW
• EPROM技术，100%可编程
• 提供300密耳薄型或600密耳标准封装
• Vcc为5V ± 10%
• TTL兼容I/O
• 可直接替代双极型PROM
• 能承受>2001V静电放电