CY7C291L-35WC

CY7C291和CY7C292是高性能2048字×8位CMOS PROM。它们在功能上相同，但分别封装在300密耳和600密耳宽的塑料和密封DIP封装中。300密耳陶瓷DIP封装配备擦除窗口；当暴露于紫外光时，PROM被擦除，然后可以重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节宽智能编程算法。CY7C291和CY7C292是双极器件的直接替换品，具有低功耗、性能和编程良率的优势。EPROM单元仅需12.5V超电压，低电流要求允许群编程。EPROM单元允许每个存储位置100%测试，因为每个位置在封装前被写入、擦除和反复锻炼。每个PROM还经过AC性能测试，以保证客户编程后，产品满足DC和AC规格限制。读取通过将有效低信号置于CS1，有效高信号置于CS2和CS3来实现。由地址线A0 - A10寻址的存储位置的内容将在输出线O0 - O7上可用。

• 可重编程窗口
• CMOS实现速度/功率
• 高速：-35 ns
• 低功耗：-330 mW
• EPROM技术100%可编程
• 提供纤薄300密耳或标准600密耳封装
• 5V ± 10% VCC
• TTL兼容I/O
• 直接替换双极PROM
• 能够承受>2000V静电放电