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CY7C2668KV18-550BZC实物图
  • CY7C2668KV18-550BZC商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C2668KV18-550BZC

CY7C2668KV18-550BZC

商品型号
CY7C2668KV18-550BZC
商品编号
C2954866
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

商品特性

  • 独立的读写数据端口
  • 支持并发事务
  • 550 MHz时钟,实现高带宽
  • 四字突发,降低地址总线频率
  • 读写端口均采用双倍数据速率(DDR)接口(数据传输频率为1100 MHz),时钟频率为550 MHz
  • 具有2.5个时钟周期的延迟
  • 两个输入时钟(K和K(上划线)),实现精确的DDR时序
  • 静态随机存取存储器(SRAM)仅使用上升沿
  • 回波时钟(CQ和CQ)简化高速系统中的数据捕获
  • 数据有效引脚(QVLD)指示输出端的有效数据
  • 片上终端(ODT)功能
  • 支持D[x:0]、BWS[x:0]和K/K输入
  • 单个复用地址输入总线锁存读写端口的地址输入
  • 独立的端口选择,用于深度扩展
  • 同步内部自定时写入
  • 当DOFF置为高电平时,四倍数据速率(QDR)II+以2.5个周期的读取延迟运行
  • 当DOFF置为低电平时,运行方式类似于具有1个周期读取延迟的QDR I器件
  • 提供×18和×36配置
  • 完全数据一致性,提供最新数据
  • 核心VDD = 1.8 V ± 0.1 V;I/O VDDQ = 1.4 V至VDD
  • 支持1.5 V和1.8 V I/O电源
  • 高速收发器逻辑(HSTL)输入和可变驱动HSTL输出缓冲器
  • 采用165球细间距球栅阵列(FBGA)封装(15×17×1.4 mm)
  • 提供无铅和含铅封装
  • 符合JTAG 1149.1标准的测试访问端口
  • 锁相环(PLL),实现精确的数据定位

数据手册PDF